Especificações: CL(IDD): 11 ciclosRow Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.)Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)Consumo de energia :2.376 W*UL Rating: 94 V - 0Temperatura de Operação: 0oC a 85oCTemperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC*O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. Caracteristicas: Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V)VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V)800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin8 bancos internos independentesLatência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock8-bit pre-fetchBurst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS] Data Strobe Diferencial bi-direcional Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)Terminação no Die usando o pino ODT Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°CReset assíncronoPCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados