Especificações:- Frequência de operação: 2666Mhz- CL (IDD): 19 ciclos- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)- Row Active Time (tRASmin) - 32ns (min.)- Potência Máxima de Operação - TBD W*- Classificação UL 94 V - 0- Temperatura de operação - 0oC a +85oC- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC*A potência pode variar dependendo do uso do SDRAMCaracterísticas / Benefícios:- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico- VDDQ = 1,2 V Típico- VPP = 2.5V Típico- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados- Geração e calibração VREFDQ no DIE- Single Rank- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)- Topologia fly-by- Comando de controle e barramento de endereços com terminação- PCB: Altura 1,18" (30,00 mm)- Em conformidade com RoHS e sem halogêniosGarantia de 12 meses para defeitos de fabricação direto com a fabricante.