Usando o princípio da barreira Schottky com uma barreira metálica de molibdênio. Essa geometria de última geração apresenta construção epitaxial com passivação de óxido e contato de sobreposição de metal. Ideal para retificação de baixa tensão e alta frequência ou como diodos de roda livre e proteção de polaridade.* Baixa Tensão Direta.* Baixo ruído de comutação.* Alta capacidade atual* Garantir Avalanche Reversa.* Anel de proteção para proteção contra estresse.* Baixa perda de energia e alta eficiência.* 15°C Temperatura de junção operacional* Baixa condução de portadora majoritária de carga armazenada.* O material plástico usado transporta a classificação de inflamabilidade do laboratório dos seguradores 94V-O