Este IGBT foi projetado especificamente para aplicações em painéis de plasma. Este dispositivo utiliza recursos avançadostecnologia IGBT de trincheira para obter baixo VCE(on) e baixa classificação EPULSETM por área de silício, o que melhora o paineleficiência. Recursos adicionais são temperatura de junção operacional de 150°C e alta corrente de pico repetitivacapacidade. Esses recursos se combinam para tornar este IGBT um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para PDPformulários.CaracterísticasTecnologia IGBT de Trincheira AvançadaOtimizado para sustentação e recuperação de energiacircuitos em aplicações PDPBaixo VCE(ligado) e Energia por Pulso (EPULSETM)para maior eficiência do painelAlta capacidade de corrente de pico repetitivoPacote sem chumbo