Este é um circuito integrado do tipo 700V, 1.1A, MOSFET, Silicon MOS.Características:° Suporte de entrada mundial, reduzindo ainda mais o consumo de energia durante cargas leves° Vários circuitos de proteção construídos pela possível proteção em tempo real° Partida suave internaClassificações Máximas Absolutas (Ta = 25°C)1. Tensão de drenagem: VD = 700 V2. Tensão de controle: VC = 8 V3. Corrente de drenagem: ID = 1,1 A4. Corrente de drenagem de pico: IDP = 1,7 A5. Corrente de controle: IC = 0,1 A6. Temperatura do canal: Tch = 150 °C7. Temperatura de armazenamento: Tstg = -55 a +150 °C