Esses dispositivos são Power MOSFETs de canal N desenvolvidos usando a segunda geração da tecnologia MDmesh. Este revolucionário Power MOSFET associa uma estrutura vertical ao layout da tira da empresa para produzir uma das menores cargas de resistência e gate do mundo. É, portanto, adequado para os conversores de alta eficiência mais exigentes.° Baixa capacitância de entrada e carga de porta° Baixa resistência de entrada do portão