Categoria de produto: MOSFET Tecnologia: Si Estilo de montagem: Through Hole Caixa / Gabinete: TO-220-3 Polaridade do transistor: N-Channel Número de canais: 1 Channel Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 55 V Id - Corrente de drenagem contínua: 41 A Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 22 mOhms Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 16 V, + 16 V Qg - Carga na porta: 32 nC Temperatura operacional mínima: - 55 C Temperatura operacional máxima: + 175 C Pd - Dissipação de potência: 110 W Modo de canal: Enhancement Configuração: Single Tempo de queda: 15 ns Altura: 15.65 mm Comprimento: 10 mm Tempo de ascensão: 84 ns Tipo de transistor: 1 N-Channel Tempo de retardo de desligamento típico: 26 ns Tempo típico de ativação/retardo: 11 ns Largura: 4.4 mm Peso unitário: 2 g