DescriçãoCaracterísticas técnicas:- Código do produto no fabricante: KVR16N11S6/2- Tipo de módulo: 240 pinos DDR3 SDRAM- Capacidade de armazenamento: 2 GB- Frequência: 1600 MHz- Padrão JEDEC: 1.5 V (1.425 V ~1.575 V)- CL(IDD): 11 ciclos- Tempo de ciclos (tRCmin): 48.125 ns (min.)- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFC): 260 ns (min.)- Row Active Time (tRAS): 35 ns (min.)- UL Rating 94 V - 0- Latência CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6- Tempo de latência: 11 - 11 - 11- Burst Length: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com somente endereço de partida "000". tCCD = 4 (não permite gravação e leitura perfeita)- Pre-fetch (pré busca): 8 bits- Diferencial de strobe de dados: Bi-direcional- Auto calibração interna: através de ZQ, pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%)Ambiente:- Temperatura de Operação: 0º C a 85º C- Temperatura de armazenamento: - 55 ºC ~ 100 ºC