NÃO ENVIAMOS PARA O ESTADO SANTA CATARINAKVR32S22S8/88 GB 1Rx8 1 G x 64 bits PC4-3200CL22 SODIMM de 260 pinosContinua >>RECURSOSEste documento descreve o KVR32S22S8/8 da ValueRAM é um módulo de memória 1G x64 bits (8 GB) DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM síncrona),1Rx8, não ECC, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits.O SPD é programado para latência padrão JEDECDDR4-3200 temporização de 22-22-22 a 1,2 V. Este DIMM de 260 pinos usadedos de contato de ouro. As especificações elétricas e mecânicassão as seguintes:CL(IDD)Tempo de ciclo de linha (tRCmin)Atualizar para ativo/AtualizarTempo de comando (tRFCmin)Tempo ativo de linha (tRASmin)Classificação ULTemperatura operacionalTemperatura de armazenamento22 ciclos45,75 ns(min.)350 ns(min.)32 ns(min.)94 V - 00oC a +85oC-55oC a +100oC• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típico• VDDQ = 1,2 V típico• VPP = 2,5 V típico• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V• Terminação nominal e dinâmica no chip (ODT) parasinais de dados, estroboscópio e máscara• Autoatualização de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração de VREFDQ no chip• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrado• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8por meio do conjunto de registros de modo (MRS)• BC4 ou BL8 selecionável em tempo real (OTF)• Topologia fly-by• Comando de controle e barramento de endereço terminados• PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)• Compatível com RoHS e livre de halogênioKVR32S22S8/88 GB 1Rx8 1 G x 64 bits PC4-3200CL22 SODIMM de 260 pinosContinua >>RECURSOSEste documento descreve o KVR32S22S8/8 da ValueRAM é um módulo de memória 1G x64 bits (8 GB) DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM síncrona),1Rx8, não ECC, baseado em oito componentes FBGA de 1G x 8 bits.O SPD é programado para latência padrão JEDECDDR4-3200 temporização de 22-22-22 a 1,2 V. Este DIMM de 260 pinos usadedos de contato de ouro. As especificações elétricas e mecânicassão as seguintes:CL(IDD)Tempo de ciclo de linha (tRCmin)Atualizar para ativo/AtualizarTempo de comando (tRFCmin)Tempo ativo de linha (tRASmin)Classificação ULTemperatura operacionalTemperatura de armazenamento22 ciclos45,75 ns(min.)350 ns(min.)32 ns(min.)94 V - 00oC a +85oC-55oC a +100oC• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típico• VDDQ = 1,2 V típico• VPP = 2,5 V típico• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V• Terminação nominal e dinâmica no chip (ODT) parasinais de dados, estroboscópio e máscara• Autoatualização de baixa potência (LPASR)• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados• Geração e calibração de VREFDQ no chip• Classificação única• EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrado• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada• Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8por meio do conjunto de registros de modo (MRS)• BC4 ou BL8 selecionável em tempo real (OTF)• Topologia fly-by• Comando de controle e barramento de endereço terminados• PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)• Compatível com RoHS e livre de halogênio