Os MOSFETs de potência HEXFET avançados da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para obter resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a rápida velocidade de comutação e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFETs de potência HEXFET são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.° Tecnologia de Processo Avançada° Resistência ultrabaixa° Classificação dv/dt dinâmica° 175°C Temperatura operacional° Troca rápida