Recurso• Nova tecnologia revolucionária de alta tensão• Carga de porta ultra baixa• Classificação extrema dv/dt• Capacitâncias efetivas ultra baixas• Transcondutância melhoradaAtributo do produto Valor do atributo Pesquisa semelhanteFabricante: ON SemicondutorCategoria do produto: MOSFETRoHS: detalhesTecnologia: SiEstilo de montagem: Através do orifícioEmbalagem/Caixa: TO-220-3Número de canais: 1 canalPolaridade do Transistor: Canal NVds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: 600 VId - Corrente de Drenagem Contínua: 5,5 ARds On - Resistência da Fonte de Dreno: 2 OhmsVgs - Tensão Gate-Source: 30 VTemperatura operacional mínima: - 55 CTemperatura operacional máxima: + 150 CConfiguração: ÚnicoModo de Canal: AprimoramentoEmbalagem: TuboAltura: 16,3 mmComprimento: 10,67 mmSérie: FQPF6N60CTipo de transistor: 1 canal NTipo: MOSFETLargura: 4,7 mmMarca: ON Semicondutor / FairchildTranscondutância direta - Mín.: 4,8 STempo de queda: 45 nsPd - Dissipação de Potência: 156 WTempo de subida: 45 nsQuantidade do pacote de fábrica: 50Tempo típico de atraso de desligamento: 45 nsTempo típico de atraso de ativação: 15 ns