Capacidade de armazenamento de 4 TBPorta USB-C 3.2 geração 2x2 (20 Gb/s)Tecnologia PCIe NVMeVelocidade de leitura sequencial: 2.000 MB/sVelocidade de gravação sequencial: 1950 MB/sVelocidade de gravação sustentada: até 1000 MB/sCriptografia de hardware AES de 256 bitsObservação: para atingir as velocidades máximas anunciadas, certifique-se de que seu computador ou dispositivo host seja certificado para suportar a conexão USB 3.2 Gen 2x2 de 20 Gb/s. Os dispositivos Apple, incluindo aqueles com Thunderbolt/USB4, não suportam USB 3.2 Gen 2x2 de 20 Gb/s e serão limitados a USB 3.2 Gen 2 de 10 Gb/s.DesempenhoTérmicasO T9 não apresenta queda de desempenho devido ao afogamento térmico.PoderO T9 tem consumo de energia cinco vezes menor em estado inativo em comparação com os concorrentes. O consumo de energia inativo é importante, pois o PSSD conclui os comandos do host rapidamente e volta ao status inativo pelo tempo restante.Durabilidade e ConfiabilidadeA Samsung verifica e garante durabilidade por meio de diversas avaliações que simulam padrões de comportamento usando PSSD na vida real, como teste de queda, teste de queda e teste de carga.ProjetoO T9 apresenta linhas diagonais curvas e padrões de carbono invertidos na superfície, dando à borracha uma sensação de tecido e um toque macio.