Transistor RJP30E2-918-830 IGBT  Itens Inclusos:01x  Transistor RJP30E2-918-830 IGBT  Descrição:O Transistor RJP30E2-918-830 é um dispositivo eletrônico de potência projetado para aplicações que requerem alta capacidade de comutação e controle eficiente de corrente. Com sua construção robusta e recursos avançados, é adequado para uma ampla variedade de aplicações industriais, como fontes de alimentação, inversores de frequência, sistemas de controle de motor e muito mais.Além disso, o transistor RJP30E2-918-830 pode apresentar recursos adicionais, como proteção contra sobrecorrente e temperatura excessiva, dependendo da versão específica do dispositivo. Isso contribui para a segurança e a longevidade do sistema em que é aplicado. Sua faixa de temperatura de operação ampla garante que o transistor possa funcionar adequadamente em diferentes condições ambientais, proporcionando estabilidade e confiabilidade.O Transistor RJP30E2-918-830 é uma escolha confiável para projetos que exigem controle preciso e eficiente de potência. Com suas características elétricas avançadas e desempenho confiável, é capaz de fornecer resultados excepcionais em diversos sistemas eletrônicos de potência. Ficha Tecnica : • Tipo de dispositivo: Transistor MOSFET de potência• Encapsulamento: TO-220• Tensão máxima de dreno-fonte (VDS): 600V• Corrente contínua máxima de dreno (ID): 30A• Resistência de dreno-fonte (RDS(on)): 0,18 ohms (máx.) a 25°C• Tensão máxima de gate-fonte (VGS): ±30V• Corrente máxima de gate (IG): ±25A• Capacidade de dissipação de potência (PD): 125W• Faixa de temperatura de operação: -55°C a +150°C  É importante observar que as especificações exatas podem variar dependendo da versão específica do transistor ou do fabricante. Para obter informações detalhadas e precisas, recomendo consultar a ficha técnica fornecida pelo fabricante ou entrar em contato diretamente com o fabricante do componente.Garantia: Nossos produtos, além de serem analisados por nosso setor de qualidade, possuem três meses de garantia, cobrindo qualquer tipo de defeito de fabricação que possa ocorrer com o seu produto.  TODOS OS NOSSOS COMPONENTES SÃO TESTADOS EM BANCADA. Os IGBTs, em especial, são submetidos a quatro testes:• Teste dos Diodos• Teste de Capacitância Gate-Source• Teste de Isolação Coletor-Emissor• Teste de Detecção de Curtos PEDIMOS QUE A INSTALAÇÃO/SUBSTITUIÇÃO SEJA FEITA POR UM TÉCNICO ESPECIALIZADOAssegure-se de que as condições de instalação sejam adequadas às especificações do Módulo IGBT.Revise também o circuito de disparos (comutação) do placa do equipamento. Caso haja defeito nos gates, isso pode levar a uma queima do novo módulo.